IXTA3N150HV IXYS
Hersteller: IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO263; 900ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 250W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 38.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 900ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 72 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
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| 6+ | 12.43 EUR |
| 8+ | 9.45 EUR |
| 50+ | 9.09 EUR |
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Technische Details IXTA3N150HV IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTA3N150HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 3 A, 7.3 ohm, TO-263, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.3ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote IXTA3N150HV nach Preis ab 9.09 EUR bis 18.22 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||
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IXTA3N150HV | Hersteller : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO263; 900ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 3A Power dissipation: 250W Case: TO263 Mounting: SMD Gate charge: 38.6nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 900ns |
auf Bestellung 72 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTA3N150HV | Hersteller : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 1500V 3A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V |
auf Bestellung 265 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTA3N150HV | Hersteller : IXYS |
MOSFETs TO263 1.5KV 3A N-CH HIVOLT |
auf Bestellung 336 Stücke: Lieferzeit 423-427 Tag (e) |
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IXTA3N150HV | Hersteller : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTA3N150HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 3 A, 7.3 ohm, TO-263, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.3ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTA3N150HV | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV |
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