IXTA52P10P IXYS
Hersteller: IXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -52A; 300W; TO263
Technology: PolarP™
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -52A
Gate charge: 60nC
Reverse recovery time: 120ns
On-state resistance: 50mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 8+ | 9.25 EUR |
| 12+ | 5.98 EUR |
| 13+ | 5.65 EUR |
| 50+ | 5.43 EUR |
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Technische Details IXTA52P10P IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTA52P10P - MOSFET, P-CH, 100V, 52A, TO-263AA, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 52A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - Unlimited, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PolarP Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: P Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm, directShipCharge: 25.
Weitere Produktangebote IXTA52P10P nach Preis ab 5.16 EUR bis 12.04 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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IXTA52P10P | Hersteller : IXYS |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -52A; 300W; TO263 Technology: PolarP™ Mounting: SMD Kind of package: tube Drain-source voltage: -100V Drain current: -52A Gate charge: 60nC Reverse recovery time: 120ns On-state resistance: 50mΩ Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 300W Case: TO263 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTA52P10P | Hersteller : IXYS |
MOSFETs -52.0 Amps -100V 0.050 Rds |
auf Bestellung 2088 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTA52P10P | Hersteller : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET P-CH 100V 52A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 52A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2845 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1203 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTA52P10P | Hersteller : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTA52P10P - MOSFET, P-CH, 100V, 52A, TO-263AA tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - Unlimited usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PolarP Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: P Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm directShipCharge: 25 |
auf Bestellung 163 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IXTA52P10P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 100V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTA52P10P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 100V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
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