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IXTA60N20T

IXTA60N20T IXYS


littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_60n20t_datasheet.pdf.pdf
Produktcode: 108659
Hersteller: IXYS
Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXTA60N20T IXTA60N20T Hersteller : Littelfuse e_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_60n20t_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IXTA60N20T IXTA60N20T Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4862938A7D820&compId=IXTA(P%2CQ)60N20T.pdf?ci_sign=66a1292f8361c5aa10783640b65094bdcfe97631 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO263; 118ns
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Case: TO263
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Gate charge: 73nC
Reverse recovery time: 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 500W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTA60N20T IXTA60N20T Hersteller : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_60n20t_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 60A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V
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IXTA60N20T IXTA60N20T Hersteller : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXT_60N20T_Datasheet.PDF MOSFETs 60 Amps 200V
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IXTA60N20T IXTA60N20T Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4862938A7D820&compId=IXTA(P%2CQ)60N20T.pdf?ci_sign=66a1292f8361c5aa10783640b65094bdcfe97631 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO263; 118ns
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Case: TO263
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Gate charge: 73nC
Reverse recovery time: 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 500W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
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