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Technische Details IXTA6N100D2HV IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 6A TO263HV, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263HV, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 10 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IXTA6N100D2HV | IXYS |
 Description: MOSFET N-CH 1000V 6A TO263HVPackaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 10 V |
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IXTA6N100D2HV | IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; N; 1kV; 6A; 300W; D2PAK,TO263AB; 952ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: N Drain-source voltage: 1kV Drain current: 6A Power dissipation: 300W Case: D2PAK; TO263AB On-state resistance: 2.2Ω Mounting: SMD Reverse recovery time: 952ns Gate charge: 95nC Gate-source voltage: 20V |
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IXTA6N100D2HV | Littelfuse |
High Voltage MOSFET |
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IXTA6N100D2HV | Littelfuse |
High Voltage MOSFET |
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| IXTA6N100D2HV |
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Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 6A TO263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 1000V 6A TO263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 10 V
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| IXTA6N100D2HV |
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Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 1kV; 6A; 300W; D2PAK,TO263AB; 952ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK; TO263AB
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 952ns
Gate charge: 95nC
Gate-source voltage: 20V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 1kV; 6A; 300W; D2PAK,TO263AB; 952ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK; TO263AB
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 952ns
Gate charge: 95nC
Gate-source voltage: 20V
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Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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| IXTA6N100D2HV |
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Hersteller: Littelfuse
High Voltage MOSFET
High Voltage MOSFET
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Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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| IXTA6N100D2HV |
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Hersteller: Littelfuse
High Voltage MOSFET
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