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Technische Details IXTA75N10P IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 75A; 360W; TO263, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: PolarHT™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 75A, Power dissipation: 360W, Case: TO263, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 25mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 74nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Reverse recovery time: 120ns, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote IXTA75N10P
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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IXTA75N10P | Hersteller : IXYS |
 Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO263 |
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IXTA75N10P | Hersteller : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 75A; 360W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PolarHT™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 75A Power dissipation: 360W Case: TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25mΩ Mounting: SMD Gate charge: 74nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 120ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXTA75N10P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
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IXTA75N10P | Hersteller : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 75A; 360W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PolarHT™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 75A Power dissipation: 360W Case: TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25mΩ Mounting: SMD Gate charge: 74nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 120ns |
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