IXTA80N075L2 IXYS
Hersteller: IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO263; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO263
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 5+ | 14.84 EUR |
| 10+ | 13.08 EUR |
| 25+ | 11.47 EUR |
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Technische Details IXTA80N075L2 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTA80N075L2 - MOSFET, N-CH, 75V, 80A, TO-263AA, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - Unlimited, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 357W, Bauform - Transistor: TO-263AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: LinearL2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, directShipCharge: 25.
Weitere Produktangebote IXTA80N075L2 nach Preis ab 11.47 EUR bis 22.9 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IXTA80N075L2 | Hersteller : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO263; 160ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 80A Power dissipation: 357W Case: TO263 On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Gate charge: 103nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: linear power mosfet Reverse recovery time: 160ns |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTA80N075L2 | Hersteller : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO263AA Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 357W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V |
auf Bestellung 968 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTA80N075L2 | Hersteller : IXYS |
MOSFETs MOSFET N CHANNEL |
auf Bestellung 3050 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTA80N075L2 | Hersteller : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTA80N075L2 - MOSFET, N-CH, 75V, 80A, TO-263AA tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - Unlimited usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 357W Bauform - Transistor: TO-263AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: LinearL2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm directShipCharge: 25 |
auf Bestellung 67 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTA80N075L2 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
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