IXTE250N10 IXYS
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 250A SOT227B
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Supplier Device Package: SOT-227B
Power Dissipation (Max): 730W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
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Technische Details IXTE250N10 IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 250A SOT227B, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Supplier Device Package: SOT-227B, Power Dissipation (Max): 730W, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Packaging: Tube.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IXTE250N10 | Hersteller : IXYS | MOSFET 250 Amps 100V 0.005 Rds |
Produkt ist nicht verfügbar |