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| Anzahl | Preis |
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| 9+ | 16.30 EUR |
| 12+ | 12.35 EUR |
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Technische Details IXTH10P60 Littelfuse
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH10P60 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 600 V, 10 A, 1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Weitere Produktangebote IXTH10P60 nach Preis ab 12.25 EUR bis 23.93 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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IXTH10P60 | Hersteller : Littelfuse |
 Trans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTH10P60 | Hersteller : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET P-CH 600V 10A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V |
auf Bestellung 82 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTH10P60 | Hersteller : IXYS |
MOSFETs -10 Amps -600V 1 Rds |
auf Bestellung 290 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTH10P60 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTH10P60 | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH10P60 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 600 V, 10 A, 1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
auf Bestellung 178 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTH10P60 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXTH10P60 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IXTH10P60 | Hersteller : IXYS | IXTH10P60 THT P channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |