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IXTH10P60

IXTH10P60 Littelfuse

media.pdf Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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Technische Details IXTH10P60 Littelfuse

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH10P60 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 600 V, 10 A, 1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXTH10P60 IXTH10P60 Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXTH10P60 IXTH10P60 Hersteller : Littelfuse Inc. Description: MOSFET P-CH 600V 10A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
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IXTH10P60 IXTH10P60 Hersteller : IXYS media-3323159.pdf MOSFETs -10 Amps -600V 1 Rds
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IXTH10P60 IXTH10P60 Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXTH10P60 IXTH10P60 Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007924759-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH10P60 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 600 V, 10 A, 1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
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IXTH10P60 IXTH10P60 Hersteller : Littelfuse lfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_10p60_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXTH10P60 IXTH10P60 Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9E678466B5B8BF&compId=IXT_10P60.pdf?ci_sign=1f66270f133ab710d995425d2a54122a9b741bbc Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -600V; -10A; 300W; TO247-3; 500ns
Reverse recovery time: 0.5µs
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -10A
On-state resistance: 1Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 135nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
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IXTH10P60 IXTH10P60 Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9E678466B5B8BF&compId=IXT_10P60.pdf?ci_sign=1f66270f133ab710d995425d2a54122a9b741bbc Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -600V; -10A; 300W; TO247-3; 500ns
Reverse recovery time: 0.5µs
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -10A
On-state resistance: 1Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 135nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247-3
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