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IXTH110N10L2

IXTH110N10L2 IXYS


media-3321948.pdf Hersteller: IXYS
MOSFET L2 Linear Power MOSFET
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Technische Details IXTH110N10L2 IXYS

Description: LITTELFUSE - IXTH110N10L2 - MOSFET, N-CH, 100V, 110A, TO-247, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 110A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 600W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: LinearL2 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).

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IXTH110N10L2 IXTH110N10L2 Hersteller : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_110n10_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 110A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
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IXTH110N10L2 IXTH110N10L2 Hersteller : LITTELFUSE littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_110n10_datasheet.pdf.pdf Description: LITTELFUSE - IXTH110N10L2 - MOSFET, N-CH, 100V, 110A, TO-247
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: LinearL2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
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IXTH110N10L2 IXTH110N10L2 Hersteller : Littelfuse screte_mosfets_n-channel_linear_ixt_110n10_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXTH110N10L2 IXTH110N10L2 Hersteller : IXYS IXTH(T)110N10L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 110A; 600W; TO247-3; 230ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 230ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTH110N10L2 IXTH110N10L2 Hersteller : IXYS IXTH(T)110N10L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 110A; 600W; TO247-3; 230ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 230ns
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