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IXTH110N25T

IXTH110N25T Littelfuse

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Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 250V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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Technische Details IXTH110N25T Littelfuse

Description: MOSFET N-CH 250V 110A TO247, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 55A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 694W (Tc).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXTH110N25T IXTH110N25T IXYS IXTH110N25T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 110A; 694W; TO247-3; 170ns
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 157nC
Reverse recovery time: 170ns
On-state resistance: 26mΩ
Drain current: 110A
Drain-source voltage: 250V
Power dissipation: 694W
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IXTH110N25T IXTH110N25T Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixth110n25t_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 110A TO247
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 55A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
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IXTH110N25T IXTH110N25T Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXTH110N25T IXTH110N25T IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXTH110N25T_Datasheet.PDF MOSFETs 110 Amps 250V
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IXTH110N25T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 110A; 694W; TO247-3; 170ns
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 157nC
Reverse recovery time: 170ns
On-state resistance: 26mΩ
Drain current: 110A
Drain-source voltage: 250V
Power dissipation: 694W
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IXTH110N25T
Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 250V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 250V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXTH110N25T littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixth110n25t_datasheet.pdf.pdf
IXTH110N25T
Hersteller: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 250V 110A TO247
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 55A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
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Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
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Hersteller: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 250V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXTH110N25T
Hersteller: IXYS
MOSFETs 110 Amps 250V
auf Bestellung 407 Stücke:
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