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IXTH12N100Q IXYS
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 12A TO247
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
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Technische Details IXTH12N100Q IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 12A TO247, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IXTH12N100Q | IXYS | MOSFET 12 Amps 1000V 1.05 Rds |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IXTH12N100Q |
Hersteller: IXYS
MOSFET 12 Amps 1000V 1.05 Rds
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