Weitere Produktangebote IXTH12N120 nach Preis ab 33.22 EUR bis 33.22 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXTH12N120 |
Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||
|
IXTH12N120 | Hersteller : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 1200V 12A TO247 Packaging: Box Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||
|
IXTH12N120 | Hersteller : IXYS |
MOSFETs 12 Amps 1200V 1.300 Rds |
Produkt ist nicht verfügbar |


