Weitere Produktangebote IXTH16N10D2
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IXTH16N10D2 | Hersteller : Littelfuse |
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IXTH16N10D2 | Hersteller : Littelfuse |
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IXTH16N10D2 | Hersteller : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; 830W; TO247-3; 940ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 16A Power dissipation: 830W Case: TO247-3 On-state resistance: 64mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: depletion Reverse recovery time: 940ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXTH16N10D2 | Hersteller : IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 8A, 0V Power Dissipation (Max): 830W (Tc) Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V |
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IXTH16N10D2 | Hersteller : IXYS |
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IXTH16N10D2 | Hersteller : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; 830W; TO247-3; 940ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 16A Power dissipation: 830W Case: TO247-3 On-state resistance: 64mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: depletion Reverse recovery time: 940ns |
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