Weitere Produktangebote IXTH16N10D2
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| IXTH16N10D2 |
 MOSFET N-CH 100V 16A TO247 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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IXTH16N10D2 | Hersteller : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 100V 16A TO247 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Power Dissipation (Max): 830W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 8A, 0V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
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IXTH16N10D2 | Hersteller : IXYS |
MOSFETs N-CH 100V 16A MOSFET |
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