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IXTH1N200P3

IXTH1N200P3 IXYS

media-3320648.pdf Hersteller: IXYS
MOSFETs 2000V/1A HV Power MOSFET, TO-247
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Technische Details IXTH1N200P3 IXYS

Description: MOSFET N-CH 2000V 1A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 25 V.

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IXTH1N200P3 IXTH1N200P3 Hersteller : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1n200p3_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 2000V 1A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 25 V
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IXTH1N200P3 Hersteller : Littelfuse ete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1n200p3_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 2KV 1A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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IXTH1N200P3 IXTH1N200P3 Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 2KV 1A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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IXTH1N200P3 Hersteller : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1n200p3_datasheet.pdf.pdf IXTH1N200P3 THT N channel transistors
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