IXTH30N50L2 IXYS
Hersteller: IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 25 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 1+ | 50.28 EUR |
| 30+ | 41.69 EUR |
| 120+ | 39.08 EUR |
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Technische Details IXTH30N50L2 IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH30N50L2 - Leistungs-MOSFET, LINEAR L2™, n-Kanal, 500 V, 30 A, 0.2 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 400W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.2ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IXTH30N50L2 nach Preis ab 63.41 EUR bis 74.8 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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IXTH30N50L2 | Hersteller : IXYS |
MOSFET 30.0 Amps 500V 0.002 Rds |
auf Bestellung 330 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IXTH30N50L2 | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH30N50L2 - Leistungs-MOSFET, LINEAR L2™, n-Kanal, 500 V, 30 A, 0.2 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 400W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 400W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.2ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTH30N50L2 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXTH30N50L2 | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 400W; TO247-3; 500ns Mounting: THT Polarisation: unipolar Kind of package: tube Case: TO247-3 Gate charge: 240nC Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 0.5µs Drain-source voltage: 500V Drain current: 30A On-state resistance: 0.215Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 400W Features of semiconductor devices: linear power mosfet Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXTH30N50L2 | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 400W; TO247-3; 500ns Mounting: THT Polarisation: unipolar Kind of package: tube Case: TO247-3 Gate charge: 240nC Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 0.5µs Drain-source voltage: 500V Drain current: 30A On-state resistance: 0.215Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 400W Features of semiconductor devices: linear power mosfet |
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