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IXTH48P20P

IXTH48P20P IXYS

IXT_48P20P.pdf Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -48A; 462W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Power dissipation: 462W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 85mΩ
Drain current: -48A
Drain-source voltage: -200V
Gate charge: 103nC
Reverse recovery time: 260ns
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Technische Details IXTH48P20P IXYS

Description: LITTELFUSE - IXTH48P20P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 48 A, 0.085 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 48A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 462W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Produktreihe PolarP, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm, SVHC: To Be Advised.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXTH48P20P IXTH48P20P Hersteller : IXYS IXT_48P20P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -48A; 462W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Power dissipation: 462W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 85mΩ
Drain current: -48A
Drain-source voltage: -200V
Gate charge: 103nC
Reverse recovery time: 260ns
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
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IXTH48P20P IXTH48P20P Hersteller : Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXTH48P20P IXTH48P20P Hersteller : IXYS media-3323106.pdf MOSFETs -48.0 Amps -200V 0.085 Rds
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IXTH48P20P IXTH48P20P Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXTH48P20P IXTH48P20P Hersteller : Littelfuse Inc. Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-48P20P-Datasheet.PDF?assetguid=D6490986-9633-4C32-87E4-8A3F926553B9 Description: MOSFET P-CH 200V 48A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 462W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
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30+12.97 EUR
120+11.12 EUR
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IXTH48P20P IXTH48P20P Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXTH48P20P IXTH48P20P Hersteller : LITTELFUSE LFSI-S-A0007907463-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXTH48P20P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 48 A, 0.085 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 462W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe PolarP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: To Be Advised
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IXTH48P20P транзистор
Produktcode: 202095
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