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IXTH50P10

IXTH50P10 Littelfuse

media.pdf Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH Si 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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14+11.34 EUR
25+10.46 EUR
50+9.69 EUR
100+9.00 EUR
250+8.38 EUR
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Technische Details IXTH50P10 Littelfuse

Description: LITTELFUSE - IXTH50P10 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 50 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: To Be Advised.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IXTH50P10 IXTH50P10 Hersteller : Littelfuse Inc. Description: MOSFET P-CH 100V 50A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 25 V
auf Bestellung 361 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+13.71 EUR
30+10.01 EUR
120+9.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IXTH50P10 IXTH50P10 Hersteller : IXYS IXT_50P10.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO247-3; 180ns
Reverse recovery time: 180ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
On-state resistance: 55mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 306 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+14.26 EUR
8+9.62 EUR
510+9.45 EUR
1020+9.24 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IXTH50P10 IXTH50P10 Hersteller : IXYS IXT_50P10.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO247-3; 180ns
Reverse recovery time: 180ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
On-state resistance: 55mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247-3
auf Bestellung 306 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+14.26 EUR
8+9.62 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IXTH50P10 IXTH50P10 Hersteller : IXYS media-3323577.pdf MOSFETs -50 Amps -100V 0.055 Rds
auf Bestellung 287 Stücke:
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Anzahl Preis
1+17.49 EUR
10+14.43 EUR
30+13.02 EUR
120+11.55 EUR
270+10.95 EUR
510+10.77 EUR
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IXTH50P10 IXTH50P10 Hersteller : LITTELFUSE LFSI-S-A0007907378-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXTH50P10 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 50 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 136 Stücke:
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IXTH50P10 IXTH50P10 Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXTH50P10 IXTH50P10 Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXTH50P10 IXTH50P10 Hersteller : Littelfuse lfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_50p10_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXTH50P10 IXTH50P10 Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXTH50P10 IXTH50P10 Hersteller : Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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