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IXTH52P10P

IXTH52P10P IXYS


media-3322437.pdf Hersteller: IXYS
MOSFET -52.0 Amps -100V 0.050 Rds
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Technische Details IXTH52P10P IXYS

Description: MOSFET P-CH 100V 52A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 52A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2845 pF @ 25 V.

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IXTH52P10P Hersteller : IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=B047FBE5-952B-40C8-BFA0-176E9733DB4B&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-52P10P-Datasheet.PDF IXTH52P10P THT P channel transistors
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IXTH52P10P IXTH52P10P Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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IXTH52P10P IXTH52P10P Hersteller : Littelfuse Inc. media?resourcetype=datasheets&itemid=B047FBE5-952B-40C8-BFA0-176E9733DB4B&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-52P10P-Datasheet.PDF Description: MOSFET P-CH 100V 52A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2845 pF @ 25 V
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