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Technische Details IXTH64N65X IXYS
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 64A; 890W; TO247-3; 450ns, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 64A, Power dissipation: 890W, Case: TO247-3, On-state resistance: 51mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 143nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Features of semiconductor devices: ultra junction x-class, Reverse recovery time: 450ns, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote IXTH64N65X
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IXTH64N65X | Hersteller : Littelfuse |
 Power MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXTH64N65X | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 64A; 890W; TO247-3; 450ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 64A Power dissipation: 890W Case: TO247-3 On-state resistance: 51mΩ Mounting: THT Gate charge: 143nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 450ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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.jpg "IXTH64N65X") |
IXTH64N65X | Hersteller : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 650V 64A TO247 |
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IXTH64N65X | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 64A; 890W; TO247-3; 450ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 64A Power dissipation: 890W Case: TO247-3 On-state resistance: 51mΩ Mounting: THT Gate charge: 143nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 450ns |
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