IXTH6N50D2 IXYS
Hersteller: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO247-3; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 64ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 219 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
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| 7+ | 10.72 EUR |
| 11+ | 6.84 EUR |
| 12+ | 6.46 EUR |
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Technische Details IXTH6N50D2 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTH6N50D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6 A, 0.55 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote IXTH6N50D2 nach Preis ab 6.46 EUR bis 17.09 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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IXTH6N50D2 | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO247-3; 64ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 6A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: depletion Reverse recovery time: 64ns |
auf Bestellung 219 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTH6N50D2 | Hersteller : IXYS |
MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A |
auf Bestellung 323 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTH6N50D2 | Hersteller : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V |
auf Bestellung 220 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTH6N50D2 | Hersteller : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTH6N50D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6 A, 0.55 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: - Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 356 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |