
IXTH75N10 Ixys Corporation
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Technische Details IXTH75N10 Ixys Corporation
Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 37.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IXTH75N10 | Hersteller : Ixys Corporation |
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IXTH75N10 | Hersteller : IXYS |
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IXTH75N10 | Hersteller : Ixys Corporation |
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IXTH75N10 | Hersteller : IXYS |
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