IXTH75N10L2 IXYS
Hersteller: IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 75A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 25 V
auf Bestellung 1520 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 26.73 EUR |
| 30+ | 16.61 EUR |
| 120+ | 14.57 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IXTH75N10L2 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTH75N10L2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.021 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote IXTH75N10L2 nach Preis ab 16 EUR bis 27.17 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXTH75N10L2 | Hersteller : IXYS |
MOSFETs LinearL2 Powr MOSFET w/extended FBSOA |
auf Bestellung 1860 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
|
IXTH75N10L2 | Hersteller : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTH75N10L2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.021 ohm, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 400W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||
|
|
IXTH75N10L2 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
|
IXTH75N10L2 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
|
IXTH75N10L2 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
|
IXTH75N10L2 | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolar; 100V; 75A; 400W; 180ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: Linear L2™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 75A Power dissipation: 400W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 21mΩ Mounting: THT Gate charge: 215nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 180ns |
Produkt ist nicht verfügbar |



