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IXTH94N20X4

IXTH94N20X4 IXYS

media-3320218.pdf Hersteller: IXYS
MOSFETs TO247 200V 94A N-CH X4CLASS
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Technische Details IXTH94N20X4 IXYS

Description: LITTELFUSE - IXTH94N20X4 - Leistungs-MOSFET, Klasse X4, n-Kanal, 200 V, 94 A, 0.0106 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 94A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXTH94N20X4 IXTH94N20X4 Hersteller : LITTELFUSE 3767664.pdf Description: LITTELFUSE - IXTH94N20X4 - Leistungs-MOSFET, Klasse X4, n-Kanal, 200 V, 94 A, 0.0106 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 94A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
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IXTH94N20X4 Hersteller : Littelfuse media.pdf Discrete MOSFET 94A 200V X4 TO247
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IXTH94N20X4 IXTH94N20X4 Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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IXTH94N20X4 IXTH94N20X4 Hersteller : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixth94n20x4_datasheet.pdf?assetguid=33bf70d9-5ba2-41c1-a10d-6826f12c0832 Description: MOSFET N-CH 200V 94A X4 TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISO TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 25 V
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