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IXTJ6N150

IXTJ6N150 IXYS


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MOSFET High Voltage Power MOSFET
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Technische Details IXTJ6N150 IXYS

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 125W; ISO247™; 1.5us, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.5kV, Drain current: 3A, Power dissipation: 125W, Case: ISO247™, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 3.85Ω, Mounting: THT, Gate charge: 67nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Reverse recovery time: 1.5µs, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXTJ6N150 IXTJ6N150 Hersteller : IXYS IXTJ6N150.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 125W; ISO247™; 1.5us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: ISO247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 1.5µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTJ6N150 Hersteller : IXYS DS100448A(IXTJ6N150).pdf Description: MOSFET N-CH 1500V 3A ISOTO-247
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IXTJ6N150 IXTJ6N150 Hersteller : IXYS IXTJ6N150.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 125W; ISO247™; 1.5us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: ISO247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 1.5µs
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