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Technische Details IXTK170N10P IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 170A TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 715W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-264 (IXTK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IXTK170N10P
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IXTK170N10P | Hersteller : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXTK170N10P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXTK170N10P | Hersteller : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 170A TO264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 715W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-264 (IXTK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXTK170N10P | Hersteller : IXYS |
MOSFETs 170 Amps 100V 0.009 Ohm Rds |
Produkt ist nicht verfügbar |