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| Anzahl | Preis |
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| 100+ | 22.97 EUR |
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Technische Details IXTK170P10P IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTK170P10P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 170 A, 0.014 ohm, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 170A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 890W, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Produktreihe PolarP, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote IXTK170P10P nach Preis ab 24.69 EUR bis 35.11 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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IXTK170P10P | Hersteller : Littelfuse Inc. |
 Description: MOSFET P-CH 100V 170A TO264Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 890W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-264 (IXTK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12600 pF @ 25 V |
auf Bestellung 475 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTK170P10P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTK170P10P | Hersteller : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTK170P10P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 170 A, 0.014 ohm, TO-264, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 890W Bauform - Transistor: TO-264 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe PolarP productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 253 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTK170P10P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXTK170P10P | Hersteller : IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -170A; 890W; TO264 Power dissipation: 890W Polarisation: unipolar On-state resistance: 14mΩ Drain current: -170A Kind of package: tube Drain-source voltage: -100V Reverse recovery time: 176ns Case: TO264 Gate charge: 240nC Technology: PolarP™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: P-MOSFET Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXTK170P10P | Hersteller : IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -170A; 890W; TO264 Power dissipation: 890W Polarisation: unipolar On-state resistance: 14mΩ Drain current: -170A Kind of package: tube Drain-source voltage: -100V Reverse recovery time: 176ns Case: TO264 Gate charge: 240nC Technology: PolarP™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: P-MOSFET Mounting: THT |
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