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IXTK170P10P

IXTK170P10P IXYS


media-3320985.pdf Hersteller: IXYS
MOSFET -170.0 Amps -100V 0.012 Rds
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Technische Details IXTK170P10P IXYS

Description: LITTELFUSE - IXTK170P10P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 170 A, 0.014 ohm, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 170A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 890W, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: Produktreihe PolarP, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).

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IXTK170P10P IXTK170P10P Hersteller : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_170p10p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 170A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12600 pF @ 25 V
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IXTK170P10P IXTK170P10P Hersteller : LITTELFUSE LFSI-S-A0007924032-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXTK170P10P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 170 A, 0.014 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 890W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: Produktreihe PolarP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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IXTK170P10P IXTK170P10P Hersteller : Littelfuse use_discrete_mosfets_p-channel_ixt_170p10p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
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IXTK170P10P IXTK170P10P Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
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IXTK170P10P IXTK170P10P Hersteller : IXYS IXTK170P10P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -170A; 890W; TO264
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -170A
Power dissipation: 890W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 176ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTK170P10P IXTK170P10P Hersteller : IXYS IXTK170P10P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -170A; 890W; TO264
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -170A
Power dissipation: 890W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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