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| Anzahl | Preis |
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| 3+ | 52.65 EUR |
| 5+ | 49.16 EUR |
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| 20+ | 43.09 EUR |
| 50+ | 40.41 EUR |
| 100+ | 37.91 EUR |
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Technische Details IXTK200N10L2 Littelfuse
Description: LITTELFUSE - IXTK200N10L2 - MOSFET, N-CH, 100V, 200A, TO-264, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.04kW, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: LinearL2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, directShipCharge: 25.
Weitere Produktangebote IXTK200N10L2 nach Preis ab 37.01 EUR bis 59.49 EUR
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Preis | ||||||||||||||||
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IXTK200N10L2 | Hersteller : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 100V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTK200N10L2 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA |
auf Bestellung 350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTK200N10L2 | Hersteller : Ixys Corporation |
Trans MOSFET N-CH 100V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA |
auf Bestellung 125 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTK200N10L2 | Hersteller : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 1040W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA Supplier Device Package: TO-264 (IXTK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V |
auf Bestellung 298 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTK200N10L2 | Hersteller : IXYS |
MOSFETs L2 Linear Power MOSFET |
auf Bestellung 794 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTK200N10L2 | Hersteller : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTK200N10L2 - MOSFET, N-CH, 100V, 200A, TO-264 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.04kW Bauform - Transistor: TO-264 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: LinearL2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm directShipCharge: 25 |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTK200N10L2 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA |
auf Bestellung 294 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTK200N10L2 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXTK200N10L2 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXTK200N10L2 | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolar; 100V; 200A; 1040W Mounting: THT Reverse recovery time: 245ns Drain-source voltage: 100V Drain current: 200A On-state resistance: 11mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.04kW Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 540nC Technology: Linear L2™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: TO264 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXTK200N10L2 | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolar; 100V; 200A; 1040W Mounting: THT Reverse recovery time: 245ns Drain-source voltage: 100V Drain current: 200A On-state resistance: 11mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.04kW Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 540nC Technology: Linear L2™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: TO264 |
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