IXTK200N10P IXYS
Hersteller: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 200A; 800W; TO264
Mounting: THT
Case: TO264
Reverse recovery time: 100ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 800W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 240nC
Technology: PolarHT™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 4+ | 18.06 EUR |
| 5+ | 14.37 EUR |
| 6+ | 13.58 EUR |
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Technische Details IXTK200N10P IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK200N10P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0075 ohm, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800W, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IXTK200N10P nach Preis ab 13.58 EUR bis 20.64 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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IXTK200N10P | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 200A; 800W; TO264 Mounting: THT Case: TO264 Reverse recovery time: 100ns Drain-source voltage: 100V Drain current: 200A On-state resistance: 7.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 800W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 240nC Technology: PolarHT™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTK200N10P | Hersteller : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 800W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA Supplier Device Package: TO-264 (IXTK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V |
auf Bestellung 114 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTK200N10P | Hersteller : IXYS |
MOSFETs 200 Amps 100V 0.0075 Rds |
auf Bestellung 1021 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTK200N10P | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK200N10P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0075 ohm, TO-264, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 800W Bauform - Transistor: TO-264 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 181 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTK200N10P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXTK200N10P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA |
Produkt ist nicht verfügbar |