IXTK200N10P Littelfuse Inc.
Hersteller: Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 800W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V
auf Bestellung 114 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 19.5 EUR |
| 25+ | 14.9 EUR |
| 100+ | 14.23 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IXTK200N10P Littelfuse Inc.
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK200N10P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 7500 µohm, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800W, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IXTK200N10P nach Preis ab 13.34 EUR bis 19.94 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTK200N10P | Hersteller : IXYS |
MOSFETs 200 Amps 100V 0.0075 Rds |
auf Bestellung 939 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
 |
IXTK200N10P | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK200N10P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 7500 µohm, TO-264, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 800W Bauform - Transistor: TO-264 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 270 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||
| IXTK200N10P | Hersteller : IXYS |
IXTK200N10P THT N channel transistors |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||
 |
IXTK200N10P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
 |
IXTK200N10P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA |
Produkt ist nicht verfügbar |