| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 36.26 EUR |
| 10+ | 22.74 EUR |
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit:
10-14 Tag (e)
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IXTK200N10P IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK200N10P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 7500 µohm, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 800W, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023), Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm.
Weitere Produktangebote IXTK200N10P nach Preis ab 20.43 EUR bis 40.4 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTK200N10P | IXYS |
 Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO264Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 800W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA Supplier Device Package: TO-264 (IXTK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V |
auf Bestellung 374 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
 |
IXTK200N10P | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK200N10P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 7500 µohm, TO-264, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 800W SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) Bauform - Transistor: TO-264 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 15V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm |
auf Bestellung 246 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||
 |
IXTK200N10P | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 200A; 800W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 800W Case: TO264 Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 240nC Technology: PolarHT™ Drain current: 200A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 100V Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5mΩ Reverse recovery time: 100ns |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IXTK200N10P |
|
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 800W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 800W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V
auf Bestellung 374 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 37.01 EUR |
| 25+ | 23.61 EUR |
| 50+ | 21.88 EUR |
| 100+ | 20.43 EUR |
| IXTK200N10P |
|
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK200N10P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 7500 µohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 800W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK200N10P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 7500 µohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 800W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 40.4 EUR |
| 10+ | 31.92 EUR |
| 50+ | 26.54 EUR |
| 100+ | 24.72 EUR |
| IXTK200N10P |
|
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 200A; 800W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 800W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 240nC
Technology: PolarHT™
Drain current: 200A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Reverse recovery time: 100ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 200A; 800W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 800W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 240nC
Technology: PolarHT™
Drain current: 200A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Reverse recovery time: 100ns
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)