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IXTK210P10T

IXTK210P10T Littelfuse Inc.

littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_210p10t_datasheet.pdf?assetguid=cce7c83f-1d9e-454b-a7cb-d2902cd95200
Hersteller: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET P-CH -100V -210A TO-264
Packaging: Tube
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Technische Details IXTK210P10T Littelfuse Inc.

Category: THT P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W, Case: TO264, Mounting: THT, Kind of package: tube, Power dissipation: 1.04kW, Gate charge: 740nC, Polarisation: unipolar, Technology: TrenchP™, Drain current: -210A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: -100V, Type of transistor: P-MOSFET, Gate-source voltage: ±15V, On-state resistance: 7.5mΩ, Reverse recovery time: 200ns.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXTK210P10T IXTK210P10T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_210p10t_datasheet.pdf?assetguid=cce7c83f-1d9e-454b-a7cb-d2902cd95200 Description: MOSFET P-CH -100V -210A TO-264
Packaging: Tube
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IXTK210P10T IXTK210P10T IXYS IXTK210P10T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 1.04kW
Gate charge: 740nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
Drain current: -210A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 7.5mΩ
Reverse recovery time: 200ns
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IXTK210P10T
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET P-CH -100V -210A TO-264
Packaging: Tube
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IXTK210P10T
Hersteller: IXYS
MOSFETs TrenchP Power MOSFETs
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IXTK210P10T
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 1.04kW
Gate charge: 740nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
Drain current: -210A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 7.5mΩ
Reverse recovery time: 200ns
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