IXTK210P10T Littelfuse Inc.
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 43.01 EUR |
| 25+ | 31.4 EUR |
| 100+ | 29.92 EUR |
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Technische Details IXTK210P10T Littelfuse Inc.
Description: LITTELFUSE - IXTK210P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 210 A, 0.0075 ohm, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 210A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.04kW, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote IXTK210P10T nach Preis ab 27.88 EUR bis 71.5 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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IXTK210P10T | Hersteller : Littelfuse |
 Trans MOSFET P-CH 100V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA |
auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTK210P10T | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 100V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTK210P10T | Hersteller : IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W Case: TO264 Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain current: -210A Drain-source voltage: -100V Gate charge: 740nC Reverse recovery time: 200ns On-state resistance: 7.5mΩ Gate-source voltage: ±15V Power dissipation: 1.04kW Kind of channel: enhancement Technology: TrenchP™ Type of transistor: P-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTK210P10T | Hersteller : IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W Case: TO264 Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain current: -210A Drain-source voltage: -100V Gate charge: 740nC Reverse recovery time: 200ns On-state resistance: 7.5mΩ Gate-source voltage: ±15V Power dissipation: 1.04kW Kind of channel: enhancement Technology: TrenchP™ Type of transistor: P-MOSFET |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTK210P10T | Hersteller : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTK210P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 210 A, 0.0075 ohm, TO-264, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.04kW Bauform - Transistor: TO-264 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTK210P10T | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 100V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXTK210P10T | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 100V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXTK210P10T | Hersteller : IXYS |
MOSFETs TrenchP Power MOSFETs |
Produkt ist nicht verfügbar |