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IXTK210P10T

IXTK210P10T Littelfuse Inc.

littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_210p10t_datasheet.pdf?assetguid=cce7c83f-1d9e-454b-a7cb-d2902cd95200
Hersteller: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET P-CH -100V -210A TO-264
Packaging: Tube
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Technische Details IXTK210P10T Littelfuse Inc.

Description: LITTELFUSE - IXTK210P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 210 A, 7500 µohm, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 210A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.04kW, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm, SVHC: To Be Advised.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXTK210P10T IXTK210P10T Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
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IXTK210P10T IXTK210P10T Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
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IXTK210P10T IXTK210P10T LITTELFUSE LFSI-S-A0007924859-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXTK210P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 210 A, 7500 µohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.04kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: To Be Advised
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IXTK210P10T IXTK210P10T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_210p10t_datasheet.pdf?assetguid=cce7c83f-1d9e-454b-a7cb-d2902cd95200 Description: MOSFET P-CH -100V -210A TO-264
Packaging: Tube
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IXTK210P10T IXTK210P10T IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_210P10T_Datasheet.PDF MOSFETs TrenchP Power MOSFETs
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IXTK210P10T IXTK210P10T IXYS IXTK210P10T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 1.04kW
Gate charge: 740nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
Drain current: -210A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 7.5mΩ
Reverse recovery time: 200ns
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IXTK210P10T
Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 100V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
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IXTK210P10T
Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 100V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
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IXTK210P10T LFSI-S-A0007924859-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTK210P10T
Hersteller: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTK210P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 210 A, 7500 µohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.04kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: To Be Advised
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IXTK210P10T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_210p10t_datasheet.pdf?assetguid=cce7c83f-1d9e-454b-a7cb-d2902cd95200
IXTK210P10T
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET P-CH -100V -210A TO-264
Packaging: Tube
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100+39.73 EUR
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IXTK210P10T Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_210P10T_Datasheet.PDF
IXTK210P10T
Hersteller: IXYS
MOSFETs TrenchP Power MOSFETs
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IXTK210P10T
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 1.04kW
Gate charge: 740nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
Drain current: -210A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 7.5mΩ
Reverse recovery time: 200ns
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