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IXTK210P10T

IXTK210P10T IXYS

IXTK210P10T.pdf Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W
Technology: TrenchP™
Mounting: THT
Reverse recovery time: 200ns
Case: TO264
Kind of package: tube
Power dissipation: 1.04kW
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -210A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 740nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±15V
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Technische Details IXTK210P10T IXYS

Description: LITTELFUSE - IXTK210P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 210 A, 0.0075 ohm, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 210A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.04kW, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).

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IXTK210P10T IXTK210P10T Hersteller : IXYS IXTK210P10T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W
Technology: TrenchP™
Mounting: THT
Reverse recovery time: 200ns
Case: TO264
Kind of package: tube
Power dissipation: 1.04kW
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -210A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 740nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±15V
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IXTK210P10T IXTK210P10T Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
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IXTK210P10T IXTK210P10T Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
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IXTK210P10T IXTK210P10T Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
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4+47.94 EUR
5+ 44.62 EUR
10+ 41.66 EUR
20+ 38.98 EUR
Mindestbestellmenge: 4
IXTK210P10T IXTK210P10T Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
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5+ 44.62 EUR
10+ 41.66 EUR
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50+ 36.53 EUR
100+ 34.27 EUR
250+ 32.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4
IXTK210P10T IXTK210P10T Hersteller : IXYS media-3323045.pdf MOSFET TrenchP Power MOSFETs
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25+ 61.91 EUR
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250+ 58.03 EUR
1000+ 53.12 EUR
2500+ 53.07 EUR
IXTK210P10T IXTK210P10T Hersteller : LITTELFUSE LFSI-S-A0007924859-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXTK210P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 210 A, 0.0075 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.04kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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IXTK210P10T IXTK210P10T Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
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IXTK210P10T Hersteller : IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=cce7c83f-1d9e-454b-a7cb-d2902cd95200&filename=littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_210p10t_datasheet.pdf Description: MOSFET P-CH -100V -210A TO-264
Packaging: Tube
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