Produkte > IXYS > IXTK32P60P
IXTK32P60P

IXTK32P60P IXYS


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE79794B6EE82DC4748&compId=IXTK32P60P.pdf?ci_sign=6d1ae1f0adba3492c1b4312d0bc082adcccb9529 Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -32A; 890W; TO264
Case: TO264
Reverse recovery time: 480ns
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -32A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 890W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 196nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 283 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19.96 EUR
25+19.29 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IXTK32P60P IXYS

Description: MOSFET P-CH 600V 32A TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 890W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-264 (IXTK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 25 V.

Weitere Produktangebote IXTK32P60P nach Preis ab 19.29 EUR bis 34.85 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IXTK32P60P IXTK32P60P Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE79794B6EE82DC4748&compId=IXTK32P60P.pdf?ci_sign=6d1ae1f0adba3492c1b4312d0bc082adcccb9529 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -32A; 890W; TO264
Case: TO264
Reverse recovery time: 480ns
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -32A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 890W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 196nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
auf Bestellung 283 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19.96 EUR
25+19.29 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK32P60P IXTK32P60P Hersteller : IXYS media-3320739.pdf MOSFETs -32 Amps -600V 0.350 Rds
auf Bestellung 1132 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+34.48 EUR
10+30.64 EUR
25+26.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK32P60P IXTK32P60P Hersteller : Littelfuse Inc. Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-32P60P-Datasheet.PDF?assetguid=4E3CC1EB-28DE-4BB7-B025-3DB667A4A4E2 Description: MOSFET P-CH 600V 32A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 25 V
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+34.85 EUR
25+22.61 EUR
100+21.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK32P60P IXTK32P60P Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 600V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK32P60P IXTK32P60P Hersteller : Littelfuse fuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_32p60p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH 600V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH