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IXTK90P20P

IXTK90P20P IXYS

IXTK90P20P.pdf Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; TO264
Mounting: THT
Case: TO264
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 44mΩ
Drain current: -90A
Drain-source voltage: -200V
Gate charge: 205nC
Reverse recovery time: 315ns
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 890W
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Technische Details IXTK90P20P IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK90P20P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 90 A, 0.044 ohm, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 890W, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PolarP, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm.

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IXTK90P20P IXTK90P20P Hersteller : IXYS IXTK90P20P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; TO264
Mounting: THT
Case: TO264
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 44mΩ
Drain current: -90A
Drain-source voltage: -200V
Gate charge: 205nC
Reverse recovery time: 315ns
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 890W
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IXTK90P20P IXTK90P20P Hersteller : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_90p20p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 90A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
auf Bestellung 454 Stücke:
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25+ 28.15 EUR
100+ 26.39 EUR
IXTK90P20P IXTK90P20P Hersteller : IXYS media-3322639.pdf MOSFET -90.0 Amps -200V 0.044 Rds
auf Bestellung 45 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
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10+ 47.5 EUR
25+ 38.22 EUR
50+ 37.99 EUR
100+ 37.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IXTK90P20P IXTK90P20P Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007907440-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK90P20P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 90 A, 0.044 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 890W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
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IXTK90P20P
Produktcode: 166401 		littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_90p20p_datasheet.pdf.pdf Verschiedene Bauteile > Other components 3
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IXTK90P20P IXTK90P20P Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-264
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IXTK90P20P IXTK90P20P Hersteller : Littelfuse fuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_90p20p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-264
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