IXTK90P20P IXYS
Hersteller: IXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; TO264
Power dissipation: 890W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 205nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO264
Reverse recovery time: 315ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -90A
On-state resistance: 44mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 4+ | 20.26 EUR |
| 10+ | 20.05 EUR |
| 25+ | 19.48 EUR |
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Technische Details IXTK90P20P IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK90P20P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 90 A, 0.044 ohm, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 890W, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PolarP, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Weitere Produktangebote IXTK90P20P nach Preis ab 19.48 EUR bis 35.11 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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IXTK90P20P | Hersteller : IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; TO264 Power dissipation: 890W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 205nC Technology: PolarP™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO264 Reverse recovery time: 315ns Drain-source voltage: -200V Drain current: -90A On-state resistance: 44mΩ Type of transistor: P-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTK90P20P | Hersteller : Ixys Corporation |
Trans MOSFET P-CH 200V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTK90P20P | Hersteller : IXYS |
MOSFETs -90.0 Amps -200V 0.044 Rds |
auf Bestellung 1185 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTK90P20P | Hersteller : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET P-CH 200V 90A TO264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 890W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-264 (IXTK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V |
auf Bestellung 577 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTK90P20P | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK90P20P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 90 A, 0.044 ohm, TO-264, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 890W Bauform - Transistor: TO-264 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PolarP productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTK90P20P Produktcode: 166401
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IXTK90P20P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 200V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
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IXTK90P20P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 200V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
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