auf Bestellung 271 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 50.12 EUR |
| 10+ | 40.57 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IXTN102N65X2 IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTN102N65X2 - MOSFET-Transistor, Klasse X2, n-Kanal, 76A, 650V, 0.03 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 76A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 595W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 595W, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IXTN102N65X2 nach Preis ab 34.33 EUR bis 50.25 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTN102N65X2 | Hersteller : Littelfuse Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 650V 76A SOT227Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 51A, 10V Power Dissipation (Max): 595AW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-227 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10900 pF @ 25 V |
auf Bestellung 246 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
 |
IXTN102N65X2 | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTN102N65X2 - MOSFET-Transistor, Klasse X2, n-Kanal, 76A, 650V, 0.03 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 76A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 595W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 595W Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 78 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||
 |
IXTN102N65X2 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 650V 76A 4-Pin SOT-227B |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
 |
IXTN102N65X2 | Hersteller : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 650V; 76A; SOT227B; screw; Idm: 204A Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 76A Pulsed drain current: 204A Power dissipation: 595W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±40V On-state resistance: 30mΩ Gate charge: 152nC Kind of channel: enhancement Electrical mounting: screw Technology: X2-Class Reverse recovery time: 450ns Semiconductor structure: single transistor Mechanical mounting: screw Type of semiconductor module: MOSFET transistor Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
|
|
IXTN102N65X2 | Hersteller : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 650V; 76A; SOT227B; screw; Idm: 204A Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 76A Pulsed drain current: 204A Power dissipation: 595W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±40V On-state resistance: 30mΩ Gate charge: 152nC Kind of channel: enhancement Electrical mounting: screw Technology: X2-Class Reverse recovery time: 450ns Semiconductor structure: single transistor Mechanical mounting: screw Type of semiconductor module: MOSFET transistor |
Produkt ist nicht verfügbar |