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IXTN200N10L2

IXTN200N10L2 IXYS


media-3321296.pdf Hersteller: IXYS
MOSFET Modules Linear L2 Pwr MOSFET w/Extended FBSOA
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Technische Details IXTN200N10L2 IXYS

Description: LITTELFUSE - IXTN200N10L2 - MOSFET, N-CH, 100V, 178A, SOT-227, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Module, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 178A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 830W, Bauform - Transistor: SOT-227, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: LinearL2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11mohm, directShipCharge: 25.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXTN200N10L2 IXTN200N10L2 Hersteller : IXYS DS100238IXTN200N10L2.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 178A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 178A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
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IXTN200N10L2 IXTN200N10L2 Hersteller : Littelfuse screte_mosfets_n-channel_linear_ixtn200n10_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 178A 4-Pin SOT-227
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IXTN200N10L2 IXTN200N10L2 Hersteller : LITTELFUSE LFSI-S-A0007909496-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXTN200N10L2 - MOSFET, N-CH, 100V, 178A, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Module
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 178A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Bauform - Transistor: SOT-227
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: LinearL2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11mohm
directShipCharge: 25
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