
IXTN200N10T Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V 200A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 550W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 42.36 EUR |
10+ | 41.54 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IXTN200N10T Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 200A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 550W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IXTN200N10T nach Preis ab 45.25 EUR bis 45.25 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTN200N10T | Hersteller : IXYS |
![]() |
auf Bestellung 213 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||
![]() |
IXTN200N10T | Hersteller : Littelfuse |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||
IXTN200N10T | Hersteller : IXYS |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |