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IXTN320N10T IXYS


Hersteller: IXYS
SOT-227B
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Technische Details IXTN320N10T IXYS

Description: MOSFET N-CH 100V 320A SOT-227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320A (Tc), Power Dissipation (Max): 680W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXTN320N10T IXTN320N10T Hersteller : IXYS Description: MOSFET N-CH 100V 320A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320A (Tc)
Power Dissipation (Max): 680W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
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IXTN320N10T IXTN320N10T Hersteller : IXYS Viewer-1549532.pdf Discrete Semiconductor Modules 320 Amps 100V
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