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IXTN90N25L2

IXTN90N25L2 Littelfuse Inc.


littelfuse-discrete-mosfets-ixtn90n25-datasheet?assetguid=22138b57-480b-473e-a2e8-a7af15dabfda Hersteller: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 250V 90A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 735W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 640 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
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Technische Details IXTN90N25L2 Littelfuse Inc.

Description: LITTELFUSE - IXTN90N25L2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 90 A, 250 V, 0.036 ohm, 10 V, 4.5 V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 735W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 735W, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).

Weitere Produktangebote IXTN90N25L2 nach Preis ab 63.78 EUR bis 81.96 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXTN90N25L2 IXTN90N25L2 Hersteller : IXYS media-3319757.pdf MOSFET Modules 90 Amps 250V
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IXTN90N25L2 IXTN90N25L2 Hersteller : LITTELFUSE LFSI-S-A0007909378-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXTN90N25L2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 90 A, 250 V, 0.036 ohm, 10 V, 4.5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 735W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 735W
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
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IXTN90N25L2 IXTN90N25L2 Hersteller : Littelfuse iscrete_mosfets_n-channel_linear_ixtn90n25_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 90A 4-Pin SOT-227B
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IXTN90N25L2 IXTN90N25L2 Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF8E2E048735820&compId=IXTN90N25L2.pdf?ci_sign=6a285a5bc74e4e1c8e1650aa50849cbbf7eb30a3 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 250V; 90A; SOT227B; screw; Idm: 360A
Drain current: 90A
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 735W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 640nC
Technology: Linear L2™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 360A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 266ns
Drain-source voltage: 250V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTN90N25L2 IXTN90N25L2 Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF8E2E048735820&compId=IXTN90N25L2.pdf?ci_sign=6a285a5bc74e4e1c8e1650aa50849cbbf7eb30a3 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 250V; 90A; SOT227B; screw; Idm: 360A
Drain current: 90A
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 735W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 640nC
Technology: Linear L2™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 360A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 266ns
Drain-source voltage: 250V
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