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| Anzahl | Preis |
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Technische Details IXTN90N25L2 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTN90N25L2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 90 A, 250 V, 0.036 ohm, 10 V, 4.5 V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 735W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 735W, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote IXTN90N25L2 nach Preis ab 53.85 EUR bis 75.86 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||
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IXTN90N25L2 | Hersteller : Littelfuse Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 250V 90A SOT227BPackaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 735W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA Supplier Device Package: SOT-227B Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 640 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V |
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IXTN90N25L2 | Hersteller : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTN90N25L2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 90 A, 250 V, 0.036 ohm, 10 V, 4.5 V tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 735W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 735W Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
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IXTN90N25L2 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 250V 90A 4-Pin SOT-227B |
auf Bestellung 270 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTN90N25L2 | Hersteller : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 250V; 90A; SOT227B; screw; Idm: 360A Drain current: 90A On-state resistance: 36mΩ Power dissipation: 735W Polarisation: unipolar Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Gate charge: 640nC Technology: Linear L2™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 360A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Case: SOT227B Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 266ns Drain-source voltage: 250V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXTN90N25L2 | Hersteller : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 250V; 90A; SOT227B; screw; Idm: 360A Drain current: 90A On-state resistance: 36mΩ Power dissipation: 735W Polarisation: unipolar Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Gate charge: 640nC Technology: Linear L2™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 360A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Case: SOT227B Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 266ns Drain-source voltage: 250V |
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