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IXTP01N100D

IXTP01N100D IXYS


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389C7B8E6A07820&compId=IXTP(Y)01N100D.pdf?ci_sign=15922f911bd95ebe5bb5b025278134f6086945cf Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.1A; 25W; TO220AB; 2ns
Kind of package: tube
Gate charge: 0.1µC
Kind of channel: depletion
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 2ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.1A
On-state resistance: 80Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 83 Stücke:

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Technische Details IXTP01N100D IXYS

Description: LITTELFUSE - IXTP01N100D - MOSFET, N-CH, 1KV, 0.4A, TO-220, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 400mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Startech USB to DC Barrel Leads, productTraceability: No, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 50ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).

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IXTP01N100D IXTP01N100D Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389C7B8E6A07820&compId=IXTP(Y)01N100D.pdf?ci_sign=15922f911bd95ebe5bb5b025278134f6086945cf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.1A; 25W; TO220AB; 2ns
Kind of package: tube
Gate charge: 0.1µC
Kind of channel: depletion
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 2ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.1A
On-state resistance: 80Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
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IXTP01N100D IXTP01N100D Hersteller : Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IXTP01N100D IXTP01N100D Hersteller : LITTELFUSE 2944666.pdf Description: LITTELFUSE - IXTP01N100D - MOSFET, N-CH, 1KV, 0.4A, TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
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Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Startech USB to DC Barrel Leads
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 50ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
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IXTP01N100D IXTP01N100D Hersteller : Littelfuse 2554820449963070ds98809eixtp-u-y01n100d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(3+Tab) TO-220AD
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IXTP01N100D IXTP01N100D Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IXTP01N100D IXTP01N100D Hersteller : Littelfuse Inc. littelfuse-discrete-mosfets-ixt-01n100d-datasheet?assetguid=aa4e4d88-d3d3-49b5-a8c6-493f4f0a72a7 Description: MOSFET N-CH 1000V 400MA TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
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IXTP01N100D IXTP01N100D Hersteller : IXYS media-3322304.pdf MOSFETs 0.1 Amps 1000V 110 Rds
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