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IXTP08N50D2

media?resourcetype=datasheets&itemid=A427D242-A59C-4809-AE1D-1E1F10E2A329&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Depletion-Mode-IXT-08N50-Datasheet.PDF
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXTP08N50D2 IXTP08N50D2 Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 500 Stücke:
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IXTP08N50D2 IXTP08N50D2 Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IXTP08N50D2 IXTP08N50D2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Depletion_Mode_IXT_08N50_Datasheet.PDF MOSFETs N-CH MOSFETS 500V 800MA
auf Bestellung 431 Stücke:
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IXTP08N50D2 IXTP08N50D2 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=A427D242-A59C-4809-AE1D-1E1F10E2A329&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Depletion-Mode-IXT-08N50-Datasheet.PDF Description: MOSFET N-CH 500V 800MA TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 400mA, 0V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V
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10+5.32 EUR
50+4.13 EUR
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IXTP08N50D2 IXTP08N50D2 IXYS IXTA(P,Y)08N50D2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO220AB; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
On-state resistance: 4.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
Gate charge: 312nC
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IXTP08N50D2 media.pdf
IXTP08N50D2
Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 500V 0.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 500 Stücke:
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50+3.7 EUR
250+3.19 EUR
500+2.94 EUR
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IXTP08N50D2
Hersteller: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 500V 0.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Hersteller: IXYS
MOSFETs N-CH MOSFETS 500V 800MA
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IXTP08N50D2
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 800MA TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 400mA, 0V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V
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IXTP08N50D2 IXTA(P,Y)08N50D2.pdf
IXTP08N50D2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO220AB; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
On-state resistance: 4.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
Gate charge: 312nC
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TDA7388
Produktcode: 14750
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TDA7388
Hersteller: ST
IC > IC Niederfrequenzverstärker
Gehäuse: Flexiwatt-25
Versorgungsspannung Uпит, V: 8...28 V
Leistung P, W: 4x41 W
Lastwiderstand R, Ohm: 4 Ohm
Klirrfaktor Kг, %: 0,0004 %
verfügbar: 11 St.
  • 11 St. - stock Köln
auf Bestellung: 32 St.
  • 32 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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