
IXTP120P065T IXYS

Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 53ns
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 298W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 185nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Mounting: THT
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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11+ | 7.04 EUR |
15+ | 5.00 EUR |
16+ | 4.73 EUR |
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Technische Details IXTP120P065T IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP120P065T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 65 V, 120 A, 0.01 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 65V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 298W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchP, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Weitere Produktangebote IXTP120P065T nach Preis ab 4.56 EUR bis 11.55 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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IXTP120P065T | Hersteller : IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns Case: TO220AB Reverse recovery time: 53ns Drain-source voltage: -65V Drain current: -120A On-state resistance: 10mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 298W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 185nC Technology: TrenchP™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±15V Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 284 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTP120P065T | Hersteller : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 298W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V |
auf Bestellung 173 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTP120P065T | Hersteller : IXYS |
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auf Bestellung 1530 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTP120P065T | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 65V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 298W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchP productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
auf Bestellung 246 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTP120P065T | Hersteller : Littelfuse |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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IXTP120P065T | Hersteller : Littelfuse |
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