IXTP120P065T IXYS
Hersteller: IXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO220AB
Technology: TrenchP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
Gate charge: 185nC
Reverse recovery time: 53ns
On-state resistance: 10mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 298W
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 10+ | 7.34 EUR |
| 50+ | 5.68 EUR |
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Technische Details IXTP120P065T IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP120P065T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 65 V, 120 A, 0.01 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 65V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 298W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchP, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Weitere Produktangebote IXTP120P065T nach Preis ab 5.67 EUR bis 10.89 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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IXTP120P065T | Hersteller : IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Case: TO220AB Technology: TrenchP™ Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -65V Drain current: -120A Gate charge: 185nC Reverse recovery time: 53ns On-state resistance: 10mΩ Gate-source voltage: ±15V Power dissipation: 298W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 262 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTP120P065T | Hersteller : IXYS |
MOSFETs -120 Amps -65V 0.01 Rds |
auf Bestellung 290 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTP120P065T | Hersteller : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET P-CH 65V 120A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 298W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V |
auf Bestellung 173 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTP120P065T | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP120P065T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 65 V, 120 A, 0.01 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 65V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 298W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchP productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
auf Bestellung 270 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTP120P065T | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXTP120P065T | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |