IXTP160N10T IXYS
Hersteller: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 100V; 160A; 430W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Power dissipation: 430W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 132nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 60ns
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 15+ | 5 EUR |
| 16+ | 4.49 EUR |
| 20+ | 3.58 EUR |
| 22+ | 3.37 EUR |
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Technische Details IXTP160N10T IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP160N10T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 160 A, 0.0061 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 160A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 430W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm.
Weitere Produktangebote IXTP160N10T nach Preis ab 3.37 EUR bis 11.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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IXTP160N10T | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 100V; 160A; 430W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 160A Power dissipation: 430W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: THT Gate charge: 132nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 60ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTP160N10T | Hersteller : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 430W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2123 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTP160N10T | Hersteller : IXYS |
MOSFET 160 Amps 100V 6.9 Rds |
auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IXTP160N10T | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP160N10T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 160 A, 0.0061 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 430W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm |
auf Bestellung 312 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTP160N10T | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 160A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXTP160N10T | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
Produkt ist nicht verfügbar |