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IXTP1R6N100D2 IXYS


Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Depletion_Mode_IXT_1R6N100_Datasheet.PDF
Hersteller: IXYS
MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 1.6A
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Technische Details IXTP1R6N100D2 IXYS

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO220AB; 11ns, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 1.6A, Power dissipation: 100W, Case: TO220AB, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 10Ω, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: depletion, Reverse recovery time: 11ns, Gate charge: 645nC.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXTP1R6N100D2 IXTP1R6N100D2 IXYS IXTA(P,Y)1R6N100D2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO220AB; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
Gate charge: 645nC
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IXTP1R6N100D2 IXTP1R6N100D2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-1r6n100-datasheet?assetguid=b9c87fa9-703d-4ead-ba41-5f1ad2bff1f0 Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB
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IXTP1R6N100D2 IXTA(P,Y)1R6N100D2.pdf
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO220AB; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
Gate charge: 645nC
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IXTP1R6N100D2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-1r6n100-datasheet?assetguid=b9c87fa9-703d-4ead-ba41-5f1ad2bff1f0
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB
auf Bestellung 1350 Stücke:
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10+6.56 EUR
50+5.14 EUR
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