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Technische Details IXTP1R6N100D2 IXYS
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO220AB; 11ns, Mounting: THT, Gate charge: 645nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 1.6A, Kind of channel: depletion, Drain-source voltage: 1kV, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: tube, Case: TO220AB, On-state resistance: 10Ω, Reverse recovery time: 11ns, Power dissipation: 100W.
Weitere Produktangebote IXTP1R6N100D2 nach Preis ab 4.02 EUR bis 10.22 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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IXTP1R6N100D2 | IXYS |
 Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB |
auf Bestellung 686 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTP1R6N100D2 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO220AB; 11ns Mounting: THT Gate charge: 645nC Polarisation: unipolar Drain current: 1.6A Kind of channel: depletion Drain-source voltage: 1kV Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: TO220AB On-state resistance: 10Ω Reverse recovery time: 11ns Power dissipation: 100W |
auf Bestellung 253 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IXTP1R6N100D2 |
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Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB
auf Bestellung 686 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 10.22 EUR |
| 10+ | 6.79 EUR |
| 50+ | 5.33 EUR |
| 100+ | 4.86 EUR |
| 500+ | 4.02 EUR |
| IXTP1R6N100D2 |
|
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO220AB; 11ns
Mounting: THT
Gate charge: 645nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.6A
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 1kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 10Ω
Reverse recovery time: 11ns
Power dissipation: 100W
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO220AB; 11ns
Mounting: THT
Gate charge: 645nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.6A
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 1kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 10Ω
Reverse recovery time: 11ns
Power dissipation: 100W
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