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Technische Details IXTP20N65X2 IXYS
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 290W; TO220AB; 350ns, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 290W, Case: TO220AB, Mounting: THT, Kind of package: tube, Features of semiconductor devices: ultra junction x-class, Drain current: 20A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 650V, On-state resistance: 0.185Ω, Reverse recovery time: 0.35µs, Gate charge: 27nC, Polarisation: unipolar.
Weitere Produktangebote IXTP20N65X2 nach Preis ab 8.63 EUR bis 12.82 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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IXTP20N65X2 | IXYS |
 Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO220AB |
auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IXTP20N65X2 |
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Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO220AB
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