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Technische Details IXTP20N65X2 IXYS
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 290W; TO220AB; 350ns, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 290W, Case: TO220AB, Mounting: THT, Kind of package: tube, Features of semiconductor devices: ultra junction x-class, Drain current: 20A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 650V, On-state resistance: 0.185Ω, Reverse recovery time: 0.35µs, Gate charge: 27nC, Polarisation: unipolar.
Weitere Produktangebote IXTP20N65X2 nach Preis ab 5.38 EUR bis 12.54 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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IXTP20N65X2 | IXYS |
 MOSFETs TO220 650V 20A N-CH X3CLASS |
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| IXTP20N65X2 |
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Hersteller: IXYS
MOSFETs TO220 650V 20A N-CH X3CLASS
MOSFETs TO220 650V 20A N-CH X3CLASS
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