IXTP24N65X2M IXYS
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 390ns
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 15+ | 4.96 EUR |
| 19+ | 3.95 EUR |
| 50+ | 3.29 EUR |
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Technische Details IXTP24N65X2M IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP24N65X2M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.145 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 37W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: X2-Class, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Weitere Produktangebote IXTP24N65X2M nach Preis ab 3.88 EUR bis 10.33 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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IXTP24N65X2M | Hersteller : Ixys Corporation |
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) OVERMOLDED TO-220 |
auf Bestellung 141 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTP24N65X2M | Hersteller : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1100 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTP24N65X2M | Hersteller : IXYS |
MOSFETs TO220 650V 24A N-CH X2CLASS |
auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTP24N65X2M | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP24N65X2M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.145 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 37W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: X2-Class productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
auf Bestellung 224 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTP24N65X2M | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) OVERMOLDED TO-220 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IXTP24N65X2M | Hersteller : Clare |
MOSFET X2-Class полевой 650V; 24A; 37W; TO220FP Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |