auf Bestellung 3461 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 12.23 EUR |
| 10+ | 7.44 EUR |
| 100+ | 6.81 EUR |
| 500+ | 6.16 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IXTP26P20P IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP26P20P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 26 A, 0.17 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PolarP, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Weitere Produktangebote IXTP26P20P nach Preis ab 5.38 EUR bis 12.44 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTP26P20P | Hersteller : IXYS |
 Description: MOSFET P-CH 200V 26A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V |
auf Bestellung 778 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
IXTP26P20P | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP26P20P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 26 A, 0.17 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PolarP productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||
 |
IXTP26P20P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||
 |
IXTP26P20P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||
 |
IXTP26P20P | Hersteller : IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO220AB Mounting: THT Case: TO220AB Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -26A Gate charge: 56nC Reverse recovery time: 240ns On-state resistance: 0.17Ω Technology: PolarP™ Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 300W Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |