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IXTP2R4N120P

IXTP2R4N120P Littelfuse

te_mosfets_n-channel_standard_ixt_2r4n120p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220
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Technische Details IXTP2R4N120P Littelfuse

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 2.4A; Idm: 6A; 125W, Reverse recovery time: 920ns, Mounting: THT, Pulsed drain current: 6A, Power dissipation: 125W, Gate charge: 37nC, Polarisation: unipolar, Technology: Polar™, Features of semiconductor devices: standard power mosfet, Drain current: 2.4A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 1.2kV, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±30V, Kind of package: tube, Case: TO220AB, On-state resistance: 7.5Ω.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXTP2R4N120P IXTP2R4N120P IXYS IXT_2R4N120P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 2.4A; Idm: 6A; 125W
Reverse recovery time: 920ns
Mounting: THT
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 125W
Gate charge: 37nC
Polarisation: unipolar
Technology: Polar™
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Drain current: 2.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 7.5Ω
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IXTP2R4N120P IXTP2R4N120P Littelfuse te_mosfets_n-channel_standard_ixt_2r4n120p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220
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IXTP2R4N120P IXTP2R4N120P IXYS media-3319294.pdf MOSFETs 2.4 Amps 1200V 7.5 Rds
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Hersteller: IXYS
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Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 2.4A; Idm: 6A; 125W
Reverse recovery time: 920ns
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Power dissipation: 125W
Gate charge: 37nC
Polarisation: unipolar
Technology: Polar™
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Drain current: 2.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
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On-state resistance: 7.5Ω
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