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IXTP2R4N120P

IXTP2R4N120P IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993964EAD3952F8BF&compId=IXT_2R4N120P.pdf?ci_sign=eb8ee9bf4f44f4620c1e19588ea25a870e1c1b6d Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 2.4A; Idm: 6A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 37nC
Reverse recovery time: 920ns
Technology: Polar™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.84 EUR
14+5.32 EUR
15+5.03 EUR
250+4.83 EUR
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Technische Details IXTP2R4N120P IXYS

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 2.4A; Idm: 6A; 125W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 2.4A, Pulsed drain current: 6A, Power dissipation: 125W, Case: TO220AB, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 7.5Ω, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Features of semiconductor devices: standard power mosfet, Gate charge: 37nC, Reverse recovery time: 920ns, Technology: Polar™, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

Weitere Produktangebote IXTP2R4N120P nach Preis ab 4.83 EUR bis 10.54 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXTP2R4N120P IXTP2R4N120P Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993964EAD3952F8BF&compId=IXT_2R4N120P.pdf?ci_sign=eb8ee9bf4f44f4620c1e19588ea25a870e1c1b6d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 2.4A; Idm: 6A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 37nC
Reverse recovery time: 920ns
Technology: Polar™
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10+7.84 EUR
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IXTP2R4N120P IXTP2R4N120P Hersteller : IXYS media-3319294.pdf MOSFETs 2.4 Amps 1200V 7.5 Rds
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IXTP2R4N120P IXTP2R4N120P Hersteller : Littelfuse te_mosfets_n-channel_standard_ixt_2r4n120p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220
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IXTP2R4N120P IXTP2R4N120P Hersteller : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_2r4n120p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO220AB
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