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IXTP3N100D2

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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXTP3N100D2 IXTP3N100D2 Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+5.83 EUR
32+5.43 EUR
50+5.09 EUR
100+4.74 EUR
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IXTP3N100D2 IXTP3N100D2 IXYS IXTA(P)3N100D2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO220AB; 17ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
On-state resistance: 5.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 1.02µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 17ns
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+6.49 EUR
18+4.75 EUR
25+4.31 EUR
50+4.01 EUR
100+3.81 EUR
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IXTP3N100D2 IXTP3N100D2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-3n100-datasheet?assetguid=f0dbe4a2-4395-4958-a595-7cdc8d2662e1 Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 1.5A, 0V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V
auf Bestellung 278 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.01 EUR
50+5.25 EUR
100+4.8 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IXTP3N100D2 IXTP3N100D2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Depletion_Mode_IXT_3N100_Datasheet.PDF MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A
auf Bestellung 1041 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.58 EUR
10+6.28 EUR
100+5.71 EUR
500+5.62 EUR
1000+5.26 EUR
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IXTP3N100D2 media.pdf
IXTP3N100D2
Hersteller: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 31 Stücke
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IXTP3N100D2 IXTA(P)3N100D2.pdf
IXTP3N100D2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO220AB; 17ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
On-state resistance: 5.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 1.02µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 17ns
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IXTP3N100D2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-3n100-datasheet?assetguid=f0dbe4a2-4395-4958-a595-7cdc8d2662e1
IXTP3N100D2
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 1.5A, 0V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V
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100+4.8 EUR
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IXTP3N100D2 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Depletion_Mode_IXT_3N100_Datasheet.PDF
IXTP3N100D2
Hersteller: IXYS
MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A
auf Bestellung 1041 Stücke:
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1+11.58 EUR
10+6.28 EUR
100+5.71 EUR
500+5.62 EUR
1000+5.26 EUR
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