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Technische Details IXTP3N100D2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 1.5A, 0V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IXTP3N100D2 nach Preis ab 2.60 EUR bis 5.61 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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IXTP3N100D2 | Hersteller : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IXTP3N100D2 | Hersteller : IXYS |
IXTP3N100D2 THT N channel transistors |
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IXTP3N100D2 Produktcode: 163724
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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IXTP3N100D2 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXTP3N100D2 | Hersteller : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 1.5A, 0V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V |
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