Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > IXTP3N120

IXTP3N120

littelfuse-discrete-mosfets-ixta3n120-datasheet?assetguid=0f8a2134-6aa0-4538-a4e2-9a575d3790e6
Produktcode: 129937
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote IXTP3N120 nach Preis ab 7.47 EUR bis 16.56 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXTP3N120 IXTP3N120 IXYS IXT_3N120.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO220AB; 700ns
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Gate charge: 42nC
Reverse recovery time: 700ns
On-state resistance: 4.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 200W
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+10.17 EUR
10+8.85 EUR
50+7.91 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP3N120 IXTP3N120 IXYS littelfuse_discrete_MOSFETs_IXTP3N120_datasheet.PDF MOSFETs MOSFET Id3 BVdass1200
auf Bestellung 903 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.15 EUR
10+9.67 EUR
100+9.34 EUR
500+9.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP3N120 IXTP3N120 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixta3n120-datasheet?assetguid=0f8a2134-6aa0-4538-a4e2-9a575d3790e6 Description: MOSFET N-CH 1200V 3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
auf Bestellung 1195 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.56 EUR
50+9.14 EUR
100+8.43 EUR
500+7.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP3N120 IXTP3N120 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007924152-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP3N120 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 3 A, 4.5 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 131 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP3N120 IXT_3N120.pdf
IXTP3N120
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO220AB; 700ns
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Gate charge: 42nC
Reverse recovery time: 700ns
On-state resistance: 4.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 200W
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+10.17 EUR
10+8.85 EUR
50+7.91 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP3N120 littelfuse_discrete_MOSFETs_IXTP3N120_datasheet.PDF
IXTP3N120
Hersteller: IXYS
MOSFETs MOSFET Id3 BVdass1200
auf Bestellung 903 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+16.15 EUR
10+9.67 EUR
100+9.34 EUR
500+9.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP3N120 littelfuse-discrete-mosfets-ixta3n120-datasheet?assetguid=0f8a2134-6aa0-4538-a4e2-9a575d3790e6
IXTP3N120
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1200V 3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
auf Bestellung 1195 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+16.56 EUR
50+9.14 EUR
100+8.43 EUR
500+7.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP3N120 LFSI-S-A0007924152-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTP3N120
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP3N120 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 3 A, 4.5 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 131 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH