
IXTP3N120 IXYS

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO220AB; 700ns
Reverse recovery time: 700ns
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
On-state resistance: 4.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 42nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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8+ | 9.68 EUR |
10+ | 7.32 EUR |
11+ | 6.92 EUR |
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Technische Details IXTP3N120 IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP3N120 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 3 A, 4.5 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IXTP3N120 nach Preis ab 6.65 EUR bis 15.42 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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IXTP3N120 | Hersteller : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO220AB; 700ns Reverse recovery time: 700ns Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 3A On-state resistance: 4.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 200W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 42nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220AB Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 298 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTP3N120 | Hersteller : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1065 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTP3N120 | Hersteller : Littelfuse |
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auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTP3N120 | Hersteller : Littelfuse |
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auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTP3N120 | Hersteller : IXYS |
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auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 430-434 Tag (e) |
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IXTP3N120 | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 215 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTP3N120 Produktcode: 129937
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IXTP3N120 | Hersteller : Littelfuse |
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IXTP3N120 | Hersteller : Littelfuse |
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IXTP3N120 | Hersteller : Littelfuse |
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