IXTP3N120 IXYS
Hersteller: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO220AB; 700ns
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Gate charge: 42nC
Reverse recovery time: 700ns
On-state resistance: 4.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 200W
auf Bestellung 263 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 9+ | 8.55 EUR |
| 10+ | 7.44 EUR |
| 50+ | 6.65 EUR |
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Technische Details IXTP3N120 IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP3N120 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 3 A, 4.5 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IXTP3N120 nach Preis ab 6.28 EUR bis 13.92 EUR
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IXTP3N120 | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO220AB; 700ns Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 3A Gate charge: 42nC Reverse recovery time: 700ns On-state resistance: 4.5Ω Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 200W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 263 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTP3N120 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTP3N120 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTP3N120 | Hersteller : IXYS |
MOSFETs MOSFET Id3 BVdass1200 |
auf Bestellung 903 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTP3N120 | Hersteller : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 1200V 3A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1195 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTP3N120 | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP3N120 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 3 A, 4.5 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTP3N120 Produktcode: 129937
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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IXTP3N120 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
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