IXTP3N50D2 IXYS
Hersteller: IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 25 V
auf Bestellung 156 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 3+ | 10.82 EUR |
| 50+ | 8.55 EUR |
| 100+ | 7.33 EUR |
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Technische Details IXTP3N50D2 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTP3N50D2 - MOSFET, N-CH, 500V, 3A, TO-220AB, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).
Weitere Produktangebote IXTP3N50D2 nach Preis ab 5.67 EUR bis 10.89 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IXTP3N50D2 | Hersteller : IXYS |
MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A |
auf Bestellung 822 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IXTP3N50D2 | Hersteller : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTP3N50D2 - MOSFET, N-CH, 500V, 3A, TO-220AB tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
auf Bestellung 177 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTP3N50D2 | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3A; 125W; TO220AB; 24ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 3A Power dissipation: 125W Case: TO220AB On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Gate charge: 1.07µC Kind of package: tube Kind of channel: depleted Reverse recovery time: 24ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXTP3N50D2 | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3A; 125W; TO220AB; 24ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 3A Power dissipation: 125W Case: TO220AB On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Gate charge: 1.07µC Kind of package: tube Kind of channel: depleted Reverse recovery time: 24ns |
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