IXTP3N50D2 IXYS
Hersteller: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3A; 125W; TO220AB; 24ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 1.07µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 24ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 275 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
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| 17+ | 4.46 EUR |
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Technische Details IXTP3N50D2 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTP3N50D2 - MOSFET, N-CH, 500V, 3A, TO-220AB, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm, directShipCharge: 25.
Weitere Produktangebote IXTP3N50D2 nach Preis ab 3.3 EUR bis 8.27 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IXTP3N50D2 | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3A; 125W; TO220AB; 24ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 3A Power dissipation: 125W Case: TO220AB On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Gate charge: 1.07µC Kind of package: tube Kind of channel: depletion Reverse recovery time: 24ns |
auf Bestellung 275 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTP3N50D2 | Hersteller : IXYS |
MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A |
auf Bestellung 429 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTP3N50D2 | Hersteller : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 500V 3A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 0V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 25 V |
auf Bestellung 360 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTP3N50D2 | Hersteller : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTP3N50D2 - MOSFET, N-CH, 500V, 3A, TO-220AB tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm directShipCharge: 25 |
auf Bestellung 102 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTP3N50D2 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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