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IXTP4N65X2

IXTP4N65X2 IXYS

IXT_4N65X2.pdf Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Kind of package: tube
Mounting: THT
Case: TO220AB
Gate charge: 8.3nC
Technology: X2-Class
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 160ns
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
On-state resistance: 0.85Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 80W
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 525 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
28+2.56 EUR
32+ 2.29 EUR
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Technische Details IXTP4N65X2 IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP4N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.85 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
IXTP4N65X2 IXTP4N65X2 Hersteller : IXYS IXT_4N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Kind of package: tube
Mounting: THT
Case: TO220AB
Gate charge: 8.3nC
Technology: X2-Class
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 160ns
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
On-state resistance: 0.85Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 80W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 525 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
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38+ 1.92 EUR
40+ 1.8 EUR
300+ 1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 28
IXTP4N65X2 IXTP4N65X2 Hersteller : Littelfuse Inc. a Description: MOSFET N-CH 650V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
auf Bestellung 3276 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+4.52 EUR
50+ 3.64 EUR
100+ 3 EUR
500+ 2.53 EUR
1000+ 2.15 EUR
2000+ 2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 4
IXTP4N65X2 IXTP4N65X2 Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007907389-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP4N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.85 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
auf Bestellung 287 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IXTP4N65X2
Produktcode: 154844 		a Transistoren > MOSFET N-CH
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IXTP4N65X2 IXTP4N65X2 Hersteller : Littelfuse osfets_n-channel_ultra_junction_ixt_4n65x2_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220
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