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IXTP4N65X2

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Produktcode: 154844
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Transistoren > MOSFET N-CH

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IXTP4N65X2 IXTP4N65X2 Hersteller : IXYS IXT_4N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 160ns
auf Bestellung 497 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.06 EUR
41+1.74 EUR
50+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 24
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IXTP4N65X2 IXTP4N65X2 Hersteller : IXYS ixty2n65x2.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
auf Bestellung 2723 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+6.32 EUR
50+3.21 EUR
100+2.91 EUR
500+2.38 EUR
1000+2.21 EUR
2000+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IXTP4N65X2 IXTP4N65X2 Hersteller : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXT_4N65X2_Datasheet.PDF MOSFETs TO220 650V 4A N-CH X2CLASS
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.48 EUR
10+4.26 EUR
100+2.73 EUR
500+2.46 EUR
1000+2.43 EUR
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IXTP4N65X2 IXTP4N65X2 Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007907389-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP4N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.85 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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