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IXTP4N80P

IXTP4N80P IXYS

IXTA(P)4N80P.pdf Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 560ns
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
28+2.56 EUR
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40+ 1.82 EUR
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Technische Details IXTP4N80P IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP4N80P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 3 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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IXTP4N80P IXTP4N80P Hersteller : IXYS IXTA(P)4N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 560ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
28+2.56 EUR
32+ 2.27 EUR
40+ 1.82 EUR
42+ 1.72 EUR
300+ 1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 28
IXTP4N80P IXTP4N80P Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 300 Stücke:
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42+3.74 EUR
50+ 3.47 EUR
100+ 3.23 EUR
250+ 3.01 EUR
Mindestbestellmenge: 42
IXTP4N80P IXTP4N80P Hersteller : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_4n80p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 3.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
auf Bestellung 700 Stücke:
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4+4.52 EUR
50+ 3.64 EUR
100+ 2.99 EUR
500+ 2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 4
IXTP4N80P IXTP4N80P Hersteller : IXYS media-3320704.pdf MOSFET 3.5 Amps 800V 3 Rds
auf Bestellung 310 Stücke:
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8+6.79 EUR
10+ 5.54 EUR
100+ 4.45 EUR
500+ 3.85 EUR
1000+ 3.77 EUR
Mindestbestellmenge: 8
IXTP4N80P IXTP4N80P Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008598442-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP4N80P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 3 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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IXTP4N80P IXTP4N80P Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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